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三星电子今天宣布，已经在全球範围内第一家实现了10nm级别製程DDR4 DRAM记忆体颗粒的量产，也是继2014年首个量产20nm DDR3记忆体颗粒后的又一壮举。三星没有披露新製程的具体数字，只是模糊地称之为10nm级别或者1xnm，而根据韩国媒体此前报导，三星用的是18nm，继续领先SK海力士、美光等对手。

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2016-4-5 21:23 上传

三星表示，新製程克服了DRAM行业中的大量技术挑战，包括独有的单元设计技术、四重曝光技术(QPT)、超薄介质层沉积技术等等，而且依然使用了已有的氟化氩沉浸式光刻工艺，并未启用昂贵且不成熟的EUV极紫外光刻。新的1xnm DDR4记忆体颗粒单颗容量8Gb(1GB)，频率高达3200MHz，相比于20nm製程下的DDR4-2400性能可提升30％，同时同等频率下功耗降低10-20％，PC、主流伺服器、大型企业网路、高性能计算系统中都有广阔的前景，单条容量最大可做到128GB。今年晚些时候，三星还会使用新製程生产新的行动用DRAM记忆体颗粒，针对智慧手机和平板机领域。随着新製程的到来、产能的扩大，以及PC需求的下降、手机需求的增长减缓，记忆体价格将在今年出现大幅度下滑，下半年至少会降20-30％，最多可达40％。三星18nm加入战局，必然会进一步刺激价格走低。消息来源